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本发明公开一种大板级扇出基板预埋芯片的低厚度封装结构的制备方法,包括:采用塑封层将ASIC芯片和电容封装于载板的一面;拆除载板,在塑封层的第一面制作第一介电层,将电阻粘贴在第一介电层上;对塑封层和第一介电层进行开孔处理,并在第一介电层上制作...该专利属于广东芯华微电子技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过广东芯华微电子技术有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种大板级扇出基板预埋芯片的低厚度封装结构的制备方法,包括:采用塑封层将ASIC芯片和电容封装于载板的一面;拆除载板,在塑封层的第一面制作第一介电层,将电阻粘贴在第一介电层上;对塑封层和第一介电层进行开孔处理,并在第一介电层上制作...