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图案化的磁阻随机存取存储器(MRAM)堆叠件通过进行主蚀刻蚀穿设置在衬底上的多个MRAM层而形成，其中该主蚀刻包含使用离子束蚀刻(IBE)。在主蚀刻之后，将间隙填充介电材料沉积至图案化的MRAM堆叠件之间的空间中，并且选择性蚀刻间隙填充介电...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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