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本公开提供了一种忆阻器、制备方法及全忆阻器基的神经形态计算芯片；其中，所述忆阻器，包括：下电极层、位于所述下电极层上的功能层、位于所述功能层上的势垒层及位于所述势垒层上的上电极层；其中，所述功能层为阻变层。通过调制所述功能层的电阻值实现所述...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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