温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该制作方法包括：提供基底结构；在基底结构上形成多个间隔的牺牲部；在牺牲部上以及基底结构上形成介质层，其中，牺牲部的材料与介质层的材料不发生反应；去除部分介质层，形成多个间隔设置的侧墙，牺牲...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。