温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开一种低功耗沟槽式功率MOS器件，其轻掺杂P型阱层位于第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区之间的区域设置有一重掺杂P型区，所述重掺杂P型区上表面与轻掺杂P型阱层上表面齐平，且位于轻掺杂P型阱层下方，且重掺杂P型区下表面延伸...
该专利属于江苏应能微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏应能微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。