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一种用于刻蚀栅极的方法，包括：在衬底之上形成高k材料层；在高k材料层之上形成上位层；执行用于刻蚀上位层的第一刻蚀工艺，以形成上位层图案；在上位层图案的侧壁上形成间隔件；以及使用包括BCl3和氩的等离子体来执行第二刻蚀工艺，以刻蚀高k材料层。...
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