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本发明提供一种沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上生长有N型外延；在N型外延上部左侧制作有N型阱区，在N型外延上部右侧制作有与N型阱区相切的P型阱区；在N型阱区表面之下内部左侧制作有第一N+区，右...
该专利属于江苏应能微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏应能微电子有限公司授权不得商用。

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