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竖直存储器装置制造方法及图纸
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下载竖直存储器装置的技术资料
文档序号:30345420
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一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和贯通件。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极,所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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