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本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一半导体结构；一第一连接结构，包括一第一连接隔离层、多个第一连接接触点以及多个第一支撑接触点，该第一连接隔离层位在该第一半导体结构上，该多个第一连接接触点位在该第一连接隔离层中，该多...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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