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本申请提供的三维存储器的制备方法，形成贯穿叠层结构的第一凹槽后，在第一凹槽侧壁形成第一保护层，对组成第一凹槽侧壁的各层结构进行保护，防止实施其他制备工艺时损坏侧壁上的各层结构。随后形成贯穿第一凹槽底壁、牺牲层并延伸至第一半导体材料层的第二凹...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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