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方法包括形成从衬底的正面延伸至衬底中的多个开口。衬底包括第一半导体材料。多个开口的每个具有基于曲线的底面。方法包括用第二半导体材料填充多个开口。第二半导体材料与第一半导体材料不同。方法包括使用第二半导体材料形成配置为分别感测多个开口中的光的...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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方法包括形成从衬底的正面延伸至衬底中的多个开口。衬底包括第一半导体材料。多个开口的每个具有基于曲线的底面。方法包括用第二半导体材料填充多个开口。第二半导体材料与第一半导体材料不同。方法包括使用第二半导体材料形成配置为分别感测多个开口中的光的...