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本发明公开了一种强锁存结构的D触发器电路，包括依次连接的四个逻辑输入反相器、强锁存电路、两个传输门，强锁存电路包括两个NMOS晶体管，四个PMOS晶体管，左侧部分的晶体管依次串联，右侧部分的晶体管同样依次串联，两侧部分构成强锁存结构；PMO...该专利属于合肥海图微电子有限公司合肥市微电子研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥海图微电子有限公司合肥市微电子研究院有限公司授权不得商用。