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公开了具有稀释氮化物有源层和位于稀释氮化物有源层之上的至少一种半导体材料的半导体器件和制造具有稀释氮化物有源层和位于稀释氮化物有源层之上的至少一种半导体材料的半导体器件的方法。混合式外延生长和使用氢扩散屏障层以最小化氢扩散入稀释氮化物有源层...
该专利属于阵列光子学公司所有，仅供学习研究参考，未经过阵列光子学公司授权不得商用。

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