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本发明描述用于形成半导体装置的多层导电结构的方法。形成包括金属及额外成分的晶种层，所述额外成分与所述金属组合抑制形成在所述晶种层之上的所述金属的填料层的成核。可使用硅掺杂或合金化钨以形成所述晶种层，其中钨填料经形成在所述晶种层之上。填料经形...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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