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一种电荷平衡(CB)沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件可以包括电荷平衡(CB)层，所述CB层限定在具有第一导电类型的第一外延(epi)层内。所述CB层可以包括具有第二导电类型的电荷平衡(CB)区。所述CB沟槽MOSFET器...
该专利属于通用电气公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用电气公司授权不得商用。

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