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本发明公开了一种半导体装置及其形成方法，包含衬底、多条位线、多个第一触点、第一间隙壁、第二间隙壁、多个第二触点以及金属硅化物层。位线设置于衬底上。第一触点设置于衬底上并与位线分隔设置。第一间隙壁、第二间隙壁设置在各个位线以及第一触点之间，并...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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