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AlGaN薄膜的制备方法技术
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下载AlGaN薄膜的制备方法的技术资料
文档序号:30164508
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本公开提供了一种AlGaN薄膜的制备方法,包括:对衬底进行热处理,以使所述衬底的生长面转变为岛状起伏结构;在所述生长面上生长多孔AlN薄膜;在所述多孔AlN薄膜上生长表面合并的AlGaN薄膜。该方法不仅可以提高外延层的晶体质量,而且可以通过...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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