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本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种具有寄生二极管的MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明通过改进常MOS栅控晶闸管的器件结构，在栅极与阴极之间引入寄生二极管，当栅上电压较大时，使该电压通过寄生二极管的反向导通释放并将栅极
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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