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本发明公开了一种快恢复二极管，包括N型掺杂漂移区、重掺杂N型衬底区域以及位于N型掺杂漂移区与重掺杂N型衬底区域之间的N型掺杂缓冲层。N型掺杂缓冲层包括低掺杂电场缓冲层、电场终止层和反向恢复载流子存储层，低掺杂电场缓冲层与N型掺杂漂移区接触且...
该专利属于安徽瑞迪微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽瑞迪微电子有限公司授权不得商用。

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