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本发明提出了一种具有增强的抗辐射性能的模拟集成电路加工方法。所述方法包括：在硅衬底的隔离单晶区中形成含有源元件和无源元件的集成电路之后，将含有有源元件和无源元件的集成电路中的辐射敏感级联的晶体管制成复合形式的晶体管；通过α
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该专利属于弘大芯源（深圳）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过弘大芯源（深圳）半导体有限公司授权不得商用。

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