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本实用新型公开一种多芯片并联封装结构和功率器件,该多芯片并联封装结构包括:第一封装板、多个芯片及第二封装板。第一封装板包括第一绝缘层、第一导电层及第二导电层,第一绝缘层设置有多个通孔,每一通孔处设置有第一导电件,第一导电层设于第一绝缘层的上...该专利属于深圳市汇川技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市汇川技术股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开一种多芯片并联封装结构和功率器件,该多芯片并联封装结构包括:第一封装板、多个芯片及第二封装板。第一封装板包括第一绝缘层、第一导电层及第二导电层,第一绝缘层设置有多个通孔,每一通孔处设置有第一导电件,第一导电层设于第一绝缘层的上...