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本实用新型公开了一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极，阻变层是掺杂有Al的Ta2O5薄膜，其厚度为5
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该专利属于河南工程学院所有，仅供学习研究参考，未经过河南工程学院授权不得商用。

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