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本发明公开了一种基于双极性RRAM的非易失性可配置上拉电阻网络。包括并联的n个子电路，每个子电路包括RRAM，其两端分别与第一单元第二单元的PMOS晶体管相连，包括并联的两个限流电阻，分别与一组PMOS晶体管和一组NMOS晶体管相连。一个P...
该专利属于上海威固信息技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海威固信息技术股份有限公司授权不得商用。

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