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清洁片和使用该清洁片清洁基底处理设备的方法技术
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文档序号:3004670
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一种清洁片,包括:清洁层和采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜,保护膜在清洁层的至少一侧上被提供为分隔物,其中当从清洁层剥离分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m↑[2]或更少。...
该专利属于日东电工株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日东电工株式会社授权不得商用。
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