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本发明提供一种用于FinFET多阈值电压的无损伤掺杂方法，横向相互间隔排列的第一至第四Fin结构；在第一至第四Fin结构上沉积多晶硅层；在多晶硅层上沉积氧化层，在氧化层上沉积硬掩膜层；将多晶硅层图形化形成多晶硅栅；去除第一Fin结构上的多晶...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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