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实施方式提供能够以高纵横比配置磁阻效应元件的磁存储装置以及磁存储装置的制造方法。实施方式的磁存储装置具备第1导电体，其沿着第1方向延伸；第2导电体，其在第1导电体的上方沿着第2方向延伸；以及第1层叠体，其设置在第1导电体与第2导电体之间，包...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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