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本发明的两头磨削方法包括：第1磨削工序，一边向第1晶片的第1、第2主面供给规定量的磨削液，一边进行磨削直至第1晶片的厚度成为规定厚度；纳米形貌测量工序，测量第1晶片的纳米形貌；及第2磨削工序，根据纳米形貌测量工序的测量结果，将磨削条件调整成...
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