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一种SiCMOSFET子模组单元及其压接型封装制造技术
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文档序号:30014489
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本发明公开了一种SiC MOSFET子模组单元及其压接型封装,属于半导体器件封装技术领域,解决了现有SiC功率芯片难以压接封装的问题。SiCMOSFET子模组单元包括DBC陶瓷基板、源极钼片、SiCMOSFET芯片阵列以及漏极钼片;所述源极...
该专利属于西安交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安交通大学授权不得商用。
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