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位于衬底上的磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠件的一或更多层通过离子束蚀刻而进行蚀刻。惰性气体的离子束产生在离子束源室中并连续地或以脉冲的方式施加至衬底。在不穿过离子束源室的情况下，反应性气体直接流入衬底所在的处理室内，其中反应性气体被脉冲...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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