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本发明公开倒装发光二极管,包含:透明衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第三半导体层;形成相互独立的三个区域;第一区域露出第一半导体层;蚀刻去除第二区域的第三半导体层,露出第二半导体层;蚀刻去除第三区域的部分第三半导体层,露出部分第二...该专利属于泉州三安半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过泉州三安半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开倒装发光二极管,包含:透明衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第三半导体层;形成相互独立的三个区域;第一区域露出第一半导体层;蚀刻去除第二区域的第三半导体层,露出第二半导体层;蚀刻去除第三区域的部分第三半导体层,露出部分第二...