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本发明适用太阳能电池加工技术领域，提供了一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：P型硅片抛光及生长氧化硅层；硅片背面沉积非晶硅层；硅片背面沉积掩膜；硅片背面局部激光消融；制绒；退火；硅片背面沉积背面钝化膜；激光开槽；正、负电...该专利属于珠海富山爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海富山爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司授权不得商用。