一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术适用太阳能电池加工技术领域，提供了一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：P型硅片抛光及生长氧化硅层；硅片背面沉积非晶硅层；硅片背面沉积掩膜；硅片背面局部激光消融；制绒；退火；硅片背面沉积背面钝化膜；激光开槽；正、负电极印刷烧结。本发明专利技术提供的P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法通过一步完成硅片抛光和氧化硅层生长，简化了工艺,且通过局部激光消融后再制绒，可以提升电池性能和电池转换效率；而且，无需采用离子注入技术，极大地简化了工艺，利用常规PERC太阳能电池的加工设备即可实现P型背接触式晶硅太阳能电池的制备，无需另外增加其它设备，极大地降低了P型背接触式晶硅太阳能电池的生产成本。的生产成本。的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池加工
，具体涉及一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法。

技术介绍

[0002]目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳能电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳能电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。其中，背接触式电池作为太阳能电池的其中一种，由于背接触式电池的正面没有金属电极遮挡的影响，因此具有更高的短路电流，光电转换效率更高。
[0003]现有技术中，P型背接触式晶硅太阳能电池通常采用P型硅片作为基底，通过对硅片先进行制绒、在硅片背面制备氧化硅层、在氧化硅层生长本征多晶硅层、在本征多晶硅层注入磷离子并在P型硅片注入硼离子，而后将硅片退火、制备硅片正面钝化减反膜及背面钝化膜、激光开槽，最后印刷烧结正负电极以制得P型背接触式晶硅太阳能电池。由于现有技术的P型背接触式晶硅太阳能电池制备工艺需要采用离子注入技术，工艺复杂，且会增加设备投入成本，增加了电池的生产成本，导致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：P型硅片抛光及生长氧化硅层；硅片背面沉积非晶硅层：采用LPCVD或PECVD在硅片背面沉积n+非晶硅层；硅片背面沉积掩膜；硅片背面局部激光消融：将硅片背面进行局部激光消融以露出硅片背面；制绒：对硅片正面及背面的激光消融区进行制绒，同时去除硅片背面的掩膜及硅片正面的氧化硅层；退火：利用退火炉对硅片进行高温晶化，然后降温并通入氧气，以使n+非晶硅层转换为n+多晶硅层，并在n+多晶硅层表面生长氧化硅钝化膜；硅片正面沉积减反膜、正面钝化膜；硅片背面沉积背面钝化膜；激光开槽：在硅片背面的激光消融区进行激光开槽；正、负电极印刷烧结：在硅片激光消融区的开槽区域使用铝浆料印刷正电极，在硅片背面非激光消融区使用银浆料印刷负电极，并烧结烘干得到太阳能电池成品。2.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述P型硅片抛光及生长氧化硅层步骤具体包括：使用碱性溶液将硅片进行抛光，抛光完成后将硅片放置在水中或微酸性溶液中，并向水中或微酸性溶液中通入臭氧，以在硅片表面生长氧化硅层。3.根据权利要求2所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液的浓度为1.5～15％，所述硅片抛光后的表面反射率控制在38％～45％；所述臭氧的处理时间控制在1～40min。4.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述硅片背面沉积非晶硅层步骤中，所述n+非晶硅层的厚度为50～350nm。5.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵家俊，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：