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本发明公开了一种基于自热效应的FinFET器件建模仿真优化方法和系统，该方法包括：基于通用数据，运用仿真软件建立FinFET器件模型并进行电仿真，获取电特性参数；通过对FinFET器件模型进行热仿真，获得热参数；根据所述热参数修改仿真的环境...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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