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本实用新型公开了一种平面肖特基芯片的复合型钝化结构，包括钝化层、金属镀层以及聚酰亚胺复合膜，金属镀层设置在钝化层上，聚酰亚胺复合膜的一部分设置在钝化层上，聚酰亚胺复合膜的另一部分设置在金属镀层上，以抑制金属镀层与钝化层的结合处电荷迁移。从而...
该专利属于深圳市旭昌辉半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市旭昌辉半导体有限公司授权不得商用。

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