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本实用新型涉及一种适用于较差地质条件下偏压进洞的反压回填施工结构，当洞口段为围岩较破碎的Ⅴ级洞口、不满足“半明半暗”进洞的条件时，结合现有地势进行“人造地形”，在偏压侧施作正面及侧面挡墙，对正面挡墙及侧面挡墙内侧进行水泥土回填并碾压，以满足...
该专利属于中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司授权不得商用。

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