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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底上形成有伪栅结构，所述伪栅结构的侧壁形成有侧墙，所述伪栅结构和侧墙露出的所述基底上形成有介质层，所述介质层露出所述伪栅结构的顶部；去除部分高度的所述侧墙，形成剩余侧墙；形成所述剩余...该专利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。