温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：在所述衬底上形成伪栅极；形成覆盖所述伪栅极侧壁的第一侧墙；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述第一侧墙侧壁并暴露出所述伪栅极顶部表面；去除所述伪栅极和所述第一侧墙，在所述介质...该专利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。