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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，用于形成第一型晶体管，包括衬底、凸出于衬底的鳍部，鳍部上形成有一个或多个堆叠的沟道叠层；在衬底上形成覆盖鳍部侧壁的隔离层；在隔离层上形成横跨沟道叠层的伪栅结构；在伪栅结构两侧的沟道叠层中形...该专利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。