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本申请公开一种超结功率MOSFET的制备方法，该方法经多次外延生长，每次外延生长后进行单排或多排离子注入，然后经高温推进在半导体衬底上形成第一导电类型外延层和n个第二导电类型区，第二导电类型区之间的第一导电类型外延层与第二导电类型区沿水平方...
该专利属于深圳市威兆半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市威兆半导体有限公司授权不得商用。

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