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一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机制造技术
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下载一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机的技术资料
文档序号:29842393
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本发明公开一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机,由延迟锁相环、数据选择器和谐波抑制边沿合成器组成,延迟锁相环用于产生具有固定相位差的低频信号,数据选择器进行数据调制,选择通过的多路低频信号送到基于电容耦合的谐波抑制边沿合成器中进行N倍频...
该专利属于天津大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津大学授权不得商用。
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