温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种具有薄双层结构的高性能声表面波器件及其制备方法。本发明器件的结构包括压电单晶基片、叉指换能器、高声速层和二氧化硅层；压电单晶基片上设置叉指换能器和高声速层；当高声速层厚度小于等于叉指换能器的厚度时，高声速层设置于叉指换能器的...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。