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本发明提供一种硅及硅基半导体片的无损切割设备和工艺。先在硅片的两端通过开槽激光头切割深度大于硅片厚度30％的引导槽，再以一端的引导槽为起点沿直线方向边通过热裂激光加热、边通过去离子冷却水冷却硅片直至硅片的尾部引导槽边缘，得到多个硅片。本发明...
该专利属于白四方所有，仅供学习研究参考，未经过白四方授权不得商用。

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