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在此公开的是一种改良的SOT‑MRAM装置及其制造方法。一种存储器装置包括第一结构，该第一结构包括磁隧道结堆叠和自旋轨道矩层。该自旋轨道矩层形成在该磁隧道结堆叠上。介电覆盖层形成在该自旋轨道矩层上面。金属层形成于该第一结构的顶部上。该金属层...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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