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一种氮基半导体器件，包括第一以及第二氮基半导体层、第一电极、掺杂的氮基半导体层、第二电极以及栅极电极。第二氮基半导体层设置于第一氮基半导体层上。第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及围绕有源部分的电绝缘部分。第一电极设置于第二氮基半导...
该专利属于英诺赛科(苏州)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科(苏州)科技有限公司授权不得商用。

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