半导体器件及其制造方法技术

一种氮基半导体器件，包括第一以及第二氮基半导体层、第一电极、掺杂的氮基半导体层、第二电极以及栅极电极。第二氮基半导体层设置于第一氮基半导体层上。第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及围绕有源部分的电绝缘部分。第一电极设置于第二氮基半导体层上。第一电极、掺杂的氮基半导体层、栅极电极以及第二电极设置于第二氮基半导体层上。每一掺杂的氮基半导体层具有背向第二电极且与界面隔开的侧表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件及其制造方法
本专利技术一般涉及半导体器件。更具体地说，本专利技术涉及一种高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)半导体器件，其具有电绝缘部分，且电绝缘部分与掺杂的氮基半导体层的侧表面隔开，从而改进HEMT的性能。
技术介绍
近年来，对高电子迁移率晶体管(HEMT)的深入研究非常普遍，特别是在高功率开关以及高频应用。HEMT利用两种不同带隙材料间的异质结界面形成类量子阱结构，可容纳二维电子气(2DEG)区域，满足高功率/频率器件的要求。除了HEMT之外，具有异质结构的器件的示例还包括异质结双极晶体管(heterojunctionbipolartransistors,HBT)、异质结场效应晶体管(heterojunctionfieldeffecttransistor,HFET)以及调制掺杂FETs(modulation-dopedFETs,MODFET)。目前，需要提高HEMT器件的良率，使其适合大规模生产。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种氮基半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n第一氮基半导体层；/n第二氮基半导体层，设置于所述第一氮基半导体层上，且其具有的带隙大于所述第一氮基半导体层的带隙，其中，所述第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及非半导电的电绝缘部分，并且所述电绝缘部分围绕所述有源部分形成界面；/n一对第一电极，设置于所述第二氮基半导体层上；/n一对掺杂的氮基半导体层，设置于所述第二氮基半导体层上以及在所述第一电极之间，其中所述掺杂的氮基半导体层彼此分离；/n第二电极，设置于所述第二氮基半导体层上以及在所述掺杂的氮基半导体层之间，其中每一个所述掺杂的氮基半导体层中具有第一侧表面，所述第一侧表面背对第二电极且与所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一氮基半导体层；
第二氮基半导体层，设置于所述第一氮基半导体层上，且其具有的带隙大于所述第一氮基半导体层的带隙，其中，所述第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及非半导电的电绝缘部分，并且所述电绝缘部分围绕所述有源部分形成界面；
一对第一电极，设置于所述第二氮基半导体层上；
一对掺杂的氮基半导体层，设置于所述第二氮基半导体层上以及在所述第一电极之间，其中所述掺杂的氮基半导体层彼此分离；
第二电极，设置于所述第二氮基半导体层上以及在所述掺杂的氮基半导体层之间，其中每一个所述掺杂的氮基半导体层中具有第一侧表面，所述第一侧表面背对第二电极且与所述界面隔开；以及
一对栅极电极，分别设置于所述掺杂的氮基半导体层上。


2.根据所述任一权利要求的半导体器件，其特征在于，其中所述电绝缘部分具有至少一对凹陷以接收所述有源部分，并且所述掺杂的氮基半导体层延伸以部分地覆盖所述接收的有源部分。


3.根据所述任一权利要求的半导体器件，其特征在于，其中所述第一侧表面与所述界面以第一垂直间距以及第二垂直间距隔开，且所述第二垂直间距大于所述第一垂直间距。


4.根据所述任一权利要求的半导体器件，其特征在于，其中所述掺杂的氮基半导体层具有彼此面对的第二侧表面，并且所述第二侧表面比所述第一侧表面更接近所述界面。


5.根据所述任一权利要求的半导体器件，其特征在于，其中所述界面的一部分从所述第二侧表面中的其中一个延伸至所述第二侧表面中的其中另一个。


6.根据所述任一权利要求的半导体器件，其特征在于，其中所述第二侧表面与所述界面部分地对齐。


7.根据所述任一权利要求的半导体器件，其特征在于，其中每一个所述掺杂的氮基半导体层中还具有一对端表面，所述端表面与所述界面对齐。


8.根据所述任一权利要求的半导体器件，其特征在于，其中沿着所述第二氮基半导体层的法线方向观看，所述第一以及第二电极为多个第一条带，且所述多个第一条带沿着第一方向延伸且沿着与所述第一方向不同的第二方向排列。


9.根据所述任一权利要求的半导体器件，其特征在于，其中沿着所述第二氮基半导体层的法线方向观看，所述掺杂的氮基半导体层为多个第二条带，且所述多个第二条带沿着所述第一方向延伸且沿着与所述第一方向不同的第二方向排列，并且所述第二条带比所述第一条带长。


10.根据所述任一权利要求的半导体器件，其特征在于，其中沿着所述第二氮基半导体层的法线方向观看，所述第二电极共同被所述掺杂的氮基半导体层的所述界面以及所述边界围绕。


11.根据所述任一权利要求的半导体器件，其特征在于，还包括：
多个保护层，设置于所述第二氮基半导体层以及所述掺杂的氮基半导体层之上，其中所述第一侧表面的一些部分被所述保护层覆盖。


12.根据所述任一权利要求的半导体器件，其特征在于，其中每一个所述保护层从所述有源部分延伸至对应的所述掺杂的氮基半导体层的顶表面。


13.根据所述任一权利要求的半导体装置，其特征在于，其中所述保护层具有与所述界面对齐的边界。


14.根据所述任一权利要求的半导体器件，其特征在于，其中每一...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡凯，黃敬源，叶朝栋，章晋汉，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32