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本发明提供了一种套刻精度的检测方法及其检测结构。在其检测方法中，通过测量第二膜层的厚度及其倾斜侧壁的倾斜角度，以获得第二膜层的层内偏移量，从而在得到相对的两组测试组的初始间距的基础上即可屏除由所述第二膜层的层内偏移所带来的误差，进而可得到更...
该专利属于中芯集成电路制造(绍兴)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路制造(绍兴)有限公司授权不得商用。

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