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本发明公开了一种制备单晶镍铁氧体薄膜的方法，包括以下步骤：在室温下，采用镍铁氧体靶材，在单晶基片上通过磁控溅射，制备得到单晶镍铁氧体薄膜。本发明在室温下通过磁控溅射法可以制备得到单晶镍铁氧体薄膜，无需在溅射过程中对基片进行加热或是后续进行热...
该专利属于兰州大学所有，仅供学习研究参考，未经过兰州大学授权不得商用。

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