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本发明的半导体激光装置(1)构成为，在半导体激光器芯片(5)与次基台(3)的各对置面、以及次基台(3)与散热器(2)的各对置面中的至少任一个，设置有根据多个活性层(4a～4c)的排列方向上的位置，改变光的行进方向上的设定范围，来降低用于接合...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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