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本发明公开了一种二极管芯片结构及制备方法，该二极管包括N+衬底以及在其顶部依次层叠生长的N缓冲层和N‑外延区；所述N‑外延区的顶部外端镶嵌P+ring区，N‑外延区顶部内的中心区域为P base区，P base区周期性镶嵌有源P+区，P b...该专利属于中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)所有，仅供学习研究参考，未经过中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)授权不得商用。