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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层，栅极层形成于半导体层上，栅极层包括主栅和扩展栅，主栅两侧的半导体层中分别形成有源极区和漏极区，扩展栅至少从主栅向源极区方向延伸...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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